BSC035N04LS G

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
BSC035N04LS G
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
通道数量1Channel
漏源极电压Vds40V
连续漏极电流Id100A
Rds On(Max)@Id,Vgs2.9mΩ
栅极电压Vgs20V
Qg-栅极电荷64nC
配置Single
Pd-功率耗散(Max)69W
高度1.27mm
长度5.9mm
系列OptiMOS3
FET类型N-Channel
宽度5.15mm
正向跨导 - 最小值60S
下降时间5ns
上升时间4.6ns
典型关闭延迟时间31ns
典型接通延迟时间7.9ns
工作温度-55°C~150°C

功率MOSFET   5.9mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。